CdMnTe相关论文
Growth Interface of In-doped CdMnTe from Te solution with Vertical Bridgman Method under ACRT techni
CdMnTe (CMT) crystals have been grown from Te solution with a vertical Bridgman method under accelerated crucible rotati......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
近年来,三元化合物半导体碲锰镉(Cd1-xMnxTe,简称为CdMnTe)以其优良的光电特性成为室温核辐射探测器材料主要候选材料之一.与......
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30 mm、长度为60 mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平......
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法......
测量了Ｔｅ溶液生长半尖半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光，测定结果表明，Ｔｅ溶注人生长Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te（CMT）和Cd0.9Zn0.1Te（CZT）单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体......
以ＭｎＴｅ－ＣｄＴｅ伪二凶相图为基础，分析了单晶生长过程的分凝特性及扩散规律，从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性，最后就生长过程中存在的其它......
测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~......
采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体（CdMnTe：In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体（CdMnTe）。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和......
通过测量半磁性半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ晶体在７７～３００Ｋ温度范围的电导率变化，得到了晶体的一个受主深能级约为０．１８ｅｖ左右，并通过分析以及退火后的电导率的测量，认为它......
采用垂直布里奇曼法（VB）生长CdMnTe晶体，由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素，晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等，限制其在......
